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帕托 有机蒸发镀膜机  

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产品介绍 Overview

应用范围

适用于制备金属电极、钙钛矿太阳能电池、OLED、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等,可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作,也可用于于小批量及中试生产或大批量生产前的试验工作。

产品组成

该设备主要由有机/金属蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。

产品参数

真空镀膜室

描述

材料:不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 5mm,所有焊缝连接均采用氩弧自动焊接技术;内表面镜面抛光,外表面三项处理。

尺寸: Φ400×H450mm;

体积0.056m³
观察窗

门上配备玻璃观察窗(含防污染挡板),方便观察工作时的工作情况。

符合X射线防护国家标准

极限真空

≤6. 67x10-5pa (2×10-7Torr) (经烘烤除气后)

恢复真空时间

≤6.67X10-4 pa(经烘烤除气后)

接口标准接口三个(φ200),拓展安装分子泵和插板阀用;
预留标准接口四个(CF35),拓展功能用;
照明LED照明位于真空室侧部,方便观察真空室内部
泄漏率

检漏依据GB T 32218-2015对箱体进行检测,≤1x10-10PaL/s的标准进行最终验收测试。

真空系统
描述

采用 “分子泵+机械泵”高真空系统:

分子泵抽速:1200L/S,真正的准无油真空系统,采用下抽气,避免了分子泵的抽气弱点,提高了抽速;分子泵保修5年,提供损坏直接换新服务。 
 * 可选择进口分子泵
真空泵

规格:旋片真空泵,  配带油雾过滤器, 带气镇控制

流量:36 m³/h (21 cfm), 双基片,真空度< 2 x 10-3 mbar  或干泵(可供选择)

* 可选配干式真空泵

工作电压AC 230 V / 50-60 Hz, 10 A 或AC 115 V / 50-60 Hz, 20 A (可供选择)
抽速

从大气抽至9×10-4Pa≤30min(短时间暴露大气,冲入干燥氮气后开始抽气)

阀门

主阀:CC-200,高真空电气联动插板阀;

前级阀/旁路阀:GDQ-40高真空气动挡板阀;

真空测量

“两低一高”(两只电阻规测量低真空,一只电离规测量高真空) 数显复合真空计,测量范围从1×105Pa到1×10-5Pa;由PC显示和控制,可实现操作互锁联动。

* 可选配进口宽量程真空变送器

真空测量

部分采用金属密封,部分采用氟橡胶圈密封;

基片台
描述放置样品的载物台采用304不锈钢制造,基片置于蒸发源正上方(全自动升降功能),根据基片尺寸设计工装,方便用户固定样品。可定制一体化高精度刻蚀掩膜板;
旋转采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,电机和磁流体同轴,不会产生丢转、爬行等情况,步进电机控制精确,转速范围0-30rpm连续可调;
升降采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,控制精确,高度范围0-100mm连续可调;
掩膜抽屉式结构,承载最大小于120×120mm 样品,配日本SMC气动基片挡板,电气联动全自动控制。

镀膜源

有机蒸发源

结构

采用有机升华束源炉,每支蒸料可装 5CC,上部有挡热板,防止蒸发舟热量向上辐射,蒸发源之间设有防温度干扰装置(方便取放,方便清洗维护)。

蒸发温度PID智能温度控制,可加热至600℃,控温精度±1℃;
电源PID智能温控蒸发电源,带有蒸发源测温和功率调整系统,可以进行实时测温与控温,温度控制精度±1℃。

数量

2台

有机蒸发电源

输出功率

0~800W

控制RS-485接口,电源功率在0-最大功率之间连续可调。

数量

2台

控制系统
描述采用windows操作平台和cotrl2000控制系统,采用IPC+network技术,实现整机主要部件的参数化设置、实施实时监控及故障智能诊断以及膜厚全自动监控,有自动和手动控制两种模式。除取放样品外,其它操作过程全部在PC上使用软件控制;提供真空系统、工艺设置、充放气系统等友好人机操作界面;在工控机上可通过配方设置参数,实现对程序工艺过程和设备参数的设置、储存和打印。
特点

能够有效解决镀膜的准确、稳定和可靠性。

完善的程序互锁,完备的防误操作设计及保护;系统缺水、过流过压等异常情况进行报警并执行相应保护措施。

采用丰富I/O接口设计,充分满足扩展与外连设备的功能需求。

显示控制镀膜机的舱门开启/关闭。

镀膜工艺、工序、膜厚,方便并且保存打印。

膜厚监测、控制系统

描述采用石英晶振膜厚控制仪,水冷膜厚探头安装在基片台附近,工控机连接。膜厚仪用以实时监测镀膜速率和终厚,精度可达±1A(0.1nm),实时信息反馈给工控机 ,若镀膜达到设置厚度,可自动控制电源,停止镀膜,实现自控膜厚之目的。
范围监测厚度范围:1Å~99µ9999Å,分辨率1Å;监测速率范围:0.1Å~9999.9Å.S/s,分辨率0.1Å

特点

镀膜工艺、工序、膜厚设置均在PC上,可实现全过程自动化控制,可在PC上设定镀膜工艺,记录数据。

水冷系统

描述

冷却水路8进8出,总进水采用水压继电器控制。

总进水与出水接1P制冷循环水机,控温范围10–25 ℃。给靶、金属源、分子泵、磁流体提供稳定的制冷循环水,保证设备稳定运行。

选配设备

基片台加热采用真空专用铠装加热丝,避免了传统加热元件污染真空室、污染基片、寿命短、需经常维护等问题。加热温度为:室温~300℃,温度控制采用进口日本岛电PID智能温控仪,控温精度±1℃。
水冷采用步进电机控制驱动旋转,动密封,一进一出水流。
液氮冷却专利产品:采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,电机和磁流体同轴,实测温度-160 ℃
选片镀膜专利产品:任意选片镀膜,归位自动转移对齐, 可调沉积高度。
自动配位镀膜专利产品:选片无级配选镀膜功能,回零归位自动转移对齐, 可调沉积高度
无级翻转和旋转专利产品:实现基片的横向和竖向旋转,无级旋转和加热,可实现高均匀度的镀膜。

真空烘烤/除气

双加热器设计;

功率:1200 W;

安装法兰:CF35;

给真空腔体快速除气,提高真空度;

烘烤时间比烘烤炉和加热带短;

进样舱

开门结构,尺寸约为ø200 X 300mm

真空系统:机械泵、分子泵、阀门

极限真空:≤6.67X10-4 pa(经烘烤除气后)。

恢复真空时间:30分钟可达到6. 6x10-3 Pa (系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始)

腔室加热真空腔室配置加热系统,温度为200℃,控温±1℃
水冷系统

冷却水路8进8出,总进水采用水压继电器控制。

总进水与出水接1P制冷循环水机,控温范围10–25 ℃。给金属源、分子泵、磁流体提供稳定的制冷循环水,保证设备稳定运行。

其他说明
产品认证

ISO9001认证、CE认证、UL认证

质保期一年质保期,终身维修
应用注意事项详情参阅说明书危险、警告、注意等条款
包装尺寸(W×D×H)
重量




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